唯物的中国芯片产业深度观察 9月18日，据外媒援引三名知情人士消息，国内DRAM（内存芯片）龙头长鑫存储，正筹备进入NAND Flash（闪存芯片）市场。 一时间，“戗行”议论四起。 在中国存储市场，格局一贯是“楚河汉界”——长鑫存储做内存、长江存储做闪存。而早在去年4月，长江存储的DRAM也已经送样。号角破空，中国存储两大巨头秣马厉兵，杀进对方“大本营”。 这一打破旧有格局的事件，将对产业造成什么样的影响？ 关键是，对于苦等降价的消费者来说，手机的价格是不是终于要“便宜”了？ 第二战场 不等NAND扩产，利好消费者的消息已经传来。 9月20日的世界制造业大会，长鑫科技（长鑫存储母公司）宣布第五代技术平台量产，存储密度大幅提升。同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比，提升了50%以上。 长鑫存储 意思是，同样大小一张晶圆，新一代平台能比上一代多切出一半的芯片。这是非常惊人的技术突破，标志着长鑫在微缩工艺和架构设计上实现了重大升级，单颗高端内存的硬性制造成本至少下降超三分之一。 在半导体界，晶圆产出率就是核心竞争力。提升50%，能大幅度降低单颗芯片的成本，相当于产能变相暴涨，正好为“戗行”提供资金弹药——正因为DRAM的成本因第五代平台量产而大幅降低，长鑫可以拿到更高的利润率。“恐怖”的是，其2026年第二季度息税前利润率高达82%。 造NAND极其烧钱，其烧钱程度在整个工业界名列前茅。如果制造普通芯片是烧纸币，制造先进NAND就跟“烧黄金”差不多，所以长江存储正筹备上市。 NAND业已全面进入3D NAND时代，把电路像盖楼一样一层层叠起来以增加容量。行业从64层、128层，一路卷到300层、400层甚至更高。每往前推进一代，都需要重新设计材料结构，攻克物理极限，每一次技术路线的研发和试错，都要至少砸进去几十亿元。 NAND架构示意图 此番杀入NAND，长鑫存储要在原本DRAM的巨额投入之外，再开辟一个同样烧钱、技术难度极高的第二战场。 好在长鑫不差钱。 7月27日正式登陆上交所科创板，长鑫科技创下亚洲年内规模最大、科创板史上最大的IPO，募资近580亿元。首日股价暴涨超470%，收盘市值3.28万亿元，当下市值约5.98万亿元，力克工商银行、贵州茅台，登顶A股上市公司市值榜首。在全球DRAM行业，长鑫科技市场份额超8%，仅次于三星、SK海力士和美光。 2025-2026第二季度全球DRAM市场按营收划分的份额 据报道，长鑫计划在北京新建工厂内设立NAND研发生产线，并已在北京成立研究机构，相关项目包括NAND技术研发。 “鸭子划水” 中国最大3D NAND巨头长江存储进军DRAM，江湖人称“鸭子划水”——水面之上风平浪静，水面之下暗暗发力，早已秘密研发并完成了产品布局。 长江存储切入DRAM这条赛道，一开始并没有“大张旗鼓”，而是先研发、后建厂，秘密“潜伏”了一阵子。早在2025年4月，长江存储已经将成功自研的低功耗内存样品送到了核心客户手中。到今年年初，长江存储的LPDDR5进入样品测试尾声阶段，预计在年底前便可根据客户反馈敲定最终的量产决策。 制造DRAM同样消耗晶圆厂的产能，长江存储在武汉大本营建立了全新的第三座芯片工厂。这座工厂一半生产NAND，一半生产DRAM。一旦全面投产，该工厂将拥有月产10万片12英寸晶圆的能力。 9月16日，据报道长江存储已经着手该工厂的生产设备连接工作，年底初步投产前景日益明朗。 长江存储能跨界做DRAM，一大核心原因是拥有名震天下的独家专利架构——Xtacking（晶圆键合技术）。传统DRAM制造，需要在同一片晶圆上把逻辑控制电路和存储电容单元一起做出来，而利用Xtacking可以在两片独立晶圆上分别加工不同的电路，再通过数十亿根垂直微通道将它们“合体”。 “霸主”三星与长江存储正式签署Xtacking混合键合专利许可协议，引起业内轰动。由于三星在其第10代及之后的V-NAND中很难绕开这项技术，不得不选择向中国厂商支付专利费。 长江存储自研Xtacking技术 长江存储需要烧的钱不比长鑫存储少。 随着长鑫科技成功上市、笑傲群雄，长江存储不甘示弱，其母公司长存集团的IPO申请于8月被上交所受理。长存集团拟募集330亿元，超越了长鑫科技的纪录（295亿元），成为科创板历史拟募资金额最高的项目。这笔资金中很大一部分将直接砸向支持DRAM制造的生产线。 IPO审核可谓“光速”推进。9月初，上交所正式发出首轮问询，标志着审核流程进入快车道。市场普遍预测，其上市估值将达到3000亿元。 今年年初开始，长江存储迎来“名利双收”。得益于AI算力、企业级SSD对NAND的大规模需求爆发，今年第一、二季度，长江存储在NAND的出货量和销售额份额双双达到14%，历史性地超越了美光和铠侠，首次升至全球第